半導体基板およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140398
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320912
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】複数回の熱処理を行う大口径の半導体基板において、基板裏面に発生したスリップが基板表面まで伝播することのない半導体基板を提供して、半導体装置の品質、歩留まりおよびスループットの向上をはかる。【解決手段】面方位が同じ2枚の単結晶基板1,2の結晶軸方位を互いにずらせて重ね合わせ、熱処理後所定の厚さに仕上げて半導体基板11を形成する。この際少なくとも一方の単結晶基板の接合される側の面にイオン注入などの処理を施すか、または酸化膜を形成して貼り合せを行うことによりスリップ防止が強化される。

請求項（抜粋）：

面方位が同じ第1の単結晶基板と第2の単結晶基板とが重ねられ、前記第1の基板と前記第2の基板の平面上の結晶軸方位が一致しないように、互いに0°を超え90°未満の角度だけずらせて接合され、かつ所定の厚さまで研削・研磨して形成された半導体基板。

引用特許：

審査官引用 (2件)

張り合わせウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-130258 出願人：日本電信電話株式会社, エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-083364 出願人：三菱電機株式会社

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