半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083364
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297377
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】シリコン酸化膜の形成を促進し、熱酸化工程を短縮して半導体装置の製造時間を短縮した半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】主面の面方位が(111)の単結晶シリコンの支持基板4の全体を覆うようにシリコン酸化膜2が形成され、支持基板4の上主面上には、主面の面方位が(100)の単結晶シリコンの半導体装置基板1が設けられている。【効果】主面の面方位が(111)である第1のシリコン基板は、主面の面方位が(100)のシリコン基板に比べて酸化速度が速いので、酸化膜の形成時間を短縮でき、生産性を高めた半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの主面上に酸化膜を有する第1のシリコン基板と、少なくとも1つのPN接合を有し、前記第1のシリコン基板上に前記酸化膜を介して接合された第2のシリコン基板と、を備える半導体装置において、前記第1のシリコン基板の主面の面方位が(111)であり、前記第2のシリコン基板の主面の面方位が(100)であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/316 , H01L 21/76

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-315159
特開平1-246820
特開平4-062847

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