半導体素子のボディ・コンタクト構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：笹島富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046188
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004192
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】基板とソース間の電位差を減少させ、寄生素子の動作を防止して、半導体素子を安定に動作させる。【解決手段】 P型基板101基板内部の表面近傍に、チャンネル領域に沿って、それぞれ所定距離を隔てて列設された複数のP+ 型ボディ・コンタクト拡散層102と、この複数のボディ・コンタクト拡散層102の全周に密接させて一体に形成されたN+ 型ソース領域103と、相互に隣接する2つのP+ 型ボディ・コンタクト拡散層102と、その間に配設されたN+ 型ソース領域103と、の上部に接合された複数のコンタクト/配線金属層105と、から半導体素子のボディ・コンタクト構造を構成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板(101)と、該半導体基板内部の表面近傍に、それぞれ所定距離を隔てて列設された複数の第2導電型ボディ・コンタクト拡散層(102)と、前記半導体基板内部の表面近傍に、前記複数のボディ・コンタクト拡散層の全周に密接させて一体に形成された第3導電型ソース領域(103)と、相互に隣接する2つの前記ボディ・コンタクト拡散層と、該2つのボディ・コンタクト拡散層の間に配設されたソース領域と、の上部に接合された複数のコンタクト/配線金属層(104)と、から構成されることを特徴とする半導体素子のボディ・コンタクト構造。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/41

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 29/44 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭53-074386
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-304927 出願人：三菱電機株式会社
特開昭60-076160

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