選択された基準メモリセルを具備する抵抗型メモリ素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-316098
公開番号（公開出願番号）：特開2007-164969
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】選択された基準メモリセルを具備する抵抗型メモリ素子を提供する。【解決手段】抵抗基盤ランダムアクセスメモリ(ReRAM)は互いに並列に接続された少なくとも3つのReRAM基準セルを有する電流基準回路を具備する。メモリセルデータ判読動作時に、選択されたメモリセルと前記ReRAM基準セルを含む前記電流基準回路が同時に活性化され、ReRAMのセンス増幅器回路は、選択されたメモリセルからの電流と前記電流基準回路からの基準電流が提供されるように構成される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

抵抗基盤ランダムアクセスメモリ(ReRAM)において、互いに並列に接続された少なくとも3つのReRAM基準セルを具備する電流基準回路を含み、前記電流基準回路は各ReRAMセンス増幅器回路に基準電流を提供するように構成されていることを特徴とする抵抗基盤ランダムアクセスメモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/15 , G11C 13/00

FI (2件)：

G11C11/15 150 , G11C13/00 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,982,908号明細書
米国特許第6,118,696号明細書

審査官引用 (4件)

磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-183104 出願人：株式会社東芝
薄膜磁性体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-145984 出願人：三菱電機株式会社
薄膜磁性体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-157648 出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社

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