特許

J-GLOBAL ID：200903092475739261

シリコン単結晶の製造方法および種結晶

発明者： 高野 清隆 ,  飯田 誠 ,  飯野 栄一 ,  木村 雅規 ,  山岸 浩利
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090597
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255490
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 種絞り部分の強度向上ができ、大口径でかつ長尺のシリコン単結晶を引上げることができる、シリコン単結晶の製造方法および種結晶を提供する。【解決手段】 種結晶をシリコン融液に接触させて引き上げながら、種絞りを行った後、シリコン単結晶を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、種結晶として、2.7×1017atoms/cm3 以上、1.4×1019atoms/cm3 以下のドーパント濃度を有する種結晶を使用し、シリコン融液として、2×1017atoms/cm3 以上、2×1019atoms/cm3 以下のドーパント濃度を有するシリコン融液を使用するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法、および、上記ドーパント濃度を有する、チョクラルスキー法で用いられる種結晶。

請求項（抜粋）：

種結晶をシリコン融液に接触させて引き上げながら、種絞りを行った後、シリコン単結晶を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、種結晶として、2.7×1017atoms/cm3 以上、1.4×1019atoms/cm3 以下のドーパント濃度を有する種結晶を使用し、シリコン融液として、2×1017atoms/cm3 以上、2×1019atoms/cm3 以下のドーパント濃度を有するシリコン融液を使用することを特徴とする、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/04 ,  C30B 15/36 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/04 ,  C30B 15/36 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-139092
  
• 特開平4-139092
  
• 不純物添加シリコン単結晶の育成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013203   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 単結晶引き上げ用種結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055647   出願人：住友シチックス株式会社