特許

J-GLOBAL ID：200903092497071345

炭化珪素半導体装置

発明者： 片岡 光浩 ,  内藤 正美 ,  竹内 有一 ,  ラジェシュ クマール ,  松波 弘之 ,  木本 恒暢
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233722
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079577
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】基板に形成したトレンチ溝の内壁面にエピタキシャル成長する際にファセット面の形成を抑制することができるようにする。【解決手段】SiC基板10は、{0001}面にオフ角を設けるとともにオフ方向を<11-20>としている。SiC基板10にトレンチ溝11が形成され、トレンチ溝11は<11-20>方向に延びるストライプ構造をなしている。トレンチ溝11の内壁面にはSiCエピ層が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SiC基板にトレンチ溝が形成され、このトレンチ溝の内壁面にSiCエピ層を形成した炭化珪素半導体装置であって、 SiC基板として、{0001}面にオフ角を設けるとともにオフ方向を<11-20>としたものを用い、また、トレンチ溝として、<11-20>方向に延びるストライプ構造のものを用いたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808

FI (2件)：

H01L29/80 V ,  H01L29/80 C

Fターム (10件)：

5F102FA00 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 接合型電界効果半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-330084   出願人：株式会社日立製作所
• 縦形接合形電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-165007   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-050497   出願人：株式会社デンソー