特許
J-GLOBAL ID：200903092514327022
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041534
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238799
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成された多結晶シリコンまたは金属珪化物からなる配線層が少なくとも2層以上ある半導体装置において層間絶縁膜の形成工程数を少なくすることである。【解決手段】 基板上に形成された第1の配線層と第2の配線層を区切る第1層間絶縁膜をリンやまたはボロンを含む低融点ガラスをシリコン酸化膜で挟んで形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された多結晶シリコンまたは金属珪化物からなる配線層が少なくとも2層以上積層された半導体装置において、第1層の配線と第2層の配線を絶縁するための第1層目の層間絶縁膜はボロンまたはリンを含有する低融点ガラスを不純物を含有しないシリコン酸化膜で挟んだ構造とし、他の層間絶縁膜は不純物を含有しないシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
H01L 21/90 M
, H01L 21/316 M
