半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346950
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189479
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の電極における接触抵抗を低減することにより、電極における発熱を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】半導体層と、前記半導体層上に形成され禁制帯幅が前記半導体層の禁制帯幅より狭くかつ導電型が半導体層の導電型と同一である半導体薄膜と、導電体よりなり半導体薄膜上に形成された電極とを有する半導体装置を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、導電型が前記第1の半導体層の導電型と同一である第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成された電極とを有し、前記第2の半導体層の禁制帯幅が前記第1の半導体層の禁制帯幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/28 301 H , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭62-183176
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-233179 出願人：ローム株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-039445 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (4件)

特開昭62-183176
特開昭62-183176
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-233179 出願人：ローム株式会社

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