特許
J-GLOBAL ID：200903072335960625

半導体発光素子

発明者：
尺田 幸男

尺田 幸男 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233179
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097468
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 p側電極とコンタクト層の接触抵抗を小さくして、動作電圧の低い半導体発光素子を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するとともに、チッ化ガリウム系化合物半導体層3、4、5、6が積層され、前記n型層およびp型層にそれぞれ接続されるn側電極9およびp側電極8が設けられてなる半導体発光素子であって、前記p側電極が設けられるコンタクト層7の表面がp型In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x<1)、p型GaAs、p型GaP、p型In<SB>y</SB>Ga<SB>1-y </SB>As(0<y<1)またはp型In<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>P(0<y<1)である。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されるとともに、前記n型層およびp型層にそれぞれ接続されるn側電極およびp側電極が設けられてなる半導体発光素子であって、前記p側電極が設けられる半導体層の少なくとも電極側表面がp型In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x<1)である半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (7件)
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