特許
J-GLOBAL ID:200903092562163155

面発光型半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 片寄 恭三 ,  片山 修平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-158557
公開番号(公開出願番号):特開2006-237648
出願日: 2006年06月07日
公開日(公表日): 2006年09月07日
要約:
【課題】 マルチモード型光ファイバ用の光源に適した表面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 下部多層反射膜2と、活性領域3と、上部多層反射膜5とが積層された基板1と、上部多層反射膜5上に設けられ、且つ活性領域3で発生したレーザ光の出射領域を画定する第1の開口部9aが形成された上部電極9と、上部電極9と下部多層反射膜2との間に設けられ、且つレーザ光の発光領域を画定する第2の開口部を有する光閉じ込め領域12とを備え、第1の開口部9aの径が第2の開口部の径よりも1乃至5ミクロン小さい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板と、 基板上に形成された第1導電型の第1の半導体反射層と、 前記第1の半導体反射層上に形成されレーザ光を生成する活性領域と、 前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の半導体反射層と、 前記第2の半導体反射層上に形成され、レーザ光を出射可能な開口部を含む金属部と、 前記第1、第2の半導体反射層の間に形成され、周囲を高抵抗部によって囲まれた導電部を有する電流狭窄部とを有し、 前記導電部の径が少なくとも12ミクロン以上であり、かつ前記金属部の開口部の径が前記導電部の径よりも少なくとも1ミクロン小さいものであって、マルチモードのレーザ光を許容する表面発光型半導体レーザ。
IPC (1件):
H01S 5/183
FI (1件):
H01S5/183
Fターム (15件):
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AF92 ,  5F173AH02 ,  5F173AK21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP67 ,  5F173AR14 ,  5F173AR33 ,  5F173AR36 ,  5F173AR55
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 米国特許5,940,422号公報
  • 米国特許5,963,576号公報
  • 面発光半導体レーザ素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-348101   出願人:古河電気工業株式会社
審査官引用 (6件)
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