特許
J-GLOBAL ID：200903090230451529
垂直共振器型面発光半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306804
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009393
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗でかつ高出力が得られ、経時での出力低下のないレーザ光を安定に発現しうる、信頼性の高い垂直共振器型の面発光半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に、第一の半導体多層膜反射鏡と活性層と第二の半導体多層膜反射鏡とレーザ光出射用開口部を有するコンタクト電極とを備えて構成され、前記開口部がコンタクト電極形成後の製造上の損傷を防ぐための保護膜で覆われている、又は第二の半導体多層膜反射鏡上に保護膜を有し、コンタクト電極が保護膜の表面に重なるように設けられ、かつ該保護層上に前記開口部が形成されることを特徴とする垂直共振器型面発光半導体レーザ装置である。保護膜の厚み方向からみて該保護膜の下層に位置し、第二の半導体多層膜反射鏡とコンタクト電極との間に、導電型のコンタクト層を備える態様が好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第一の導電型の半導体多層膜反射鏡と、活性層と、第二の導電型の半導体多層膜反射鏡と、レーザ光を出射する開口部を有するコンタクト電極とをこの順に備える垂直共振器型面発光半導体レーザ装置において、前記開口部が、前記コンタクト電極形成後の製造上の損傷を防ぐための保護膜で覆われていることを特徴とする垂直共振器型面発光半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073BA09
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA24
, 5F073DA30
, 5F073EA15
, 5F073EA28
