金属配線のエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233912
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079582
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、3μm以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたり、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを1回で済ませ、下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすること。【解決手段】マスク36の形成後、混酸を用いてウェットエッチングをして、アルミニウム合金層35の一部を除去し、下地バリアメタル層32の一部の表面を露出させ、フッ素系ガスを含む混合ガスを用いて、0.2〜2.0W/cm2の低電力プラズマでプラズマエッチングをして、下地バリアメタル層32の露出面に付着したSiのパーティクルを除去し、塩素系ガスを含む混合ガスを用いてドライプラズマエッチングをして、下地バリアメタル層32の露出部分の一部を除去し、マスク36を除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下地バリアメタル層の上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる層が積層された構成の積層配線層を所望のパターンに成形するにあたって、前記積層配線層の上に所望のパターンのマスクを形成する工程と、混酸を用いてウェットエッチングをおこない、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる層の一部を除去して、前記下地バリアメタル層の一部の表面を露出させる工程と、フッ素系ガスを含む混合ガスを用いて、低電力プラズマでプラズマエッチングをおこない、前記下地バリアメタル層の露出面に付着したSiのパーティクルを除去する工程と、塩素系ガスを含む混合ガスを用いてドライプラズマエッチングをおこない、前記下地バリアメタル層の露出部分の一部を除去する工程と、前記マスクを除去する工程と、を含むことを特徴とする金属配線のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 , H01L21/3213

FI (2件)：

H01L21/302 105A , H01L21/88 C

Fターム (20件)：

5F004AA09 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA25 , 5F004DB01 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004EB02 , 5F004FA08 , 5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033MM13 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ15 , 5F033QQ20 , 5F033WW02 , 5F033WW07 , 5F033XX03

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-357832
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-091038 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
アルミニウム系パターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-096608 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

特開平4-357832
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-091038 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
アルミニウム系パターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-096608 出願人：ソニー株式会社

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