特許
J-GLOBAL ID：200903092569892713
半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160726
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349083
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】信頼性が高い低誘電率の絶縁膜を製造する。【解決手段】低い比誘電率,高い耐熱性及び耐吸湿性を有するシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法がプラズマCVD装置に適用される。第1段階は,一般式SiαOβCXHY(式中,α,β,x,yは整数)で表されるシリコン系炭化水素化合物を前記プラズマCVD装置の反応室に導入することである。シリコン系炭化水素化合物は多くて2つのO-CnH2n+1結合及びシリコンに結合された少なくとも2つの炭化水素基を有する。材料ガスの滞留時間は,例えば,反応ガスの総量を削減することによって延長され,そのようにして低い比誘電率を有する微視多孔構造を有するシリコン重合体膜を形成する。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理によって半導体基板上にシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法であって,半導体基板が設置されるところのプラズマCVD処理用の反応チャンバ内に材料ガスを導入する工程であって,前記材料ガスは2つのアルコキシ類若しくはそれより少ないアルコキシ類を有するか,または全くアルコキシ類を有しないシリコン系炭化水素から成る工程と,半導体基板上に比誘電率を有するシリコン重合体膜を形成するために,材料ガスを含む反応ガスが存在するところの反応チャンバ内でプラズマ重合反応を活性化させる工程と,シリコン重合体膜の比誘電率が所定の値より小さくなるまで,反応チャンバ内の材料ガスの滞留時間を延ばすべく反応ガスの流量を制御する工程と,から成る方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 X
, C23C 16/42
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030BA29
, 4K030CA04
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030JA05
, 4K030JA11
, 4K030LA01
, 4K030LA02
, 5F058BA07
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BC20
, 5F058BF07
, 5F058BF25
, 5F058BF26
, 5F058BF29
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
審査官引用 (3件)
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低誘電率の絶縁膜製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-278460
出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
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シリコン酸化膜の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-331030
出願人：東亞合成化学工業株式会社
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成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-006381
出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
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