プラズマCVD装置並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマCVD方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (2件)：田宮寛祉 (外1名) , 田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-194966
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012471
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】成膜中に生じた高次シランガス等を速やかに反応領域から取り除き、基板の成膜すべき面のいずれの箇所でも同じ条件で成膜を行い、大面積の基板に高い膜品質のアモルファスシリコン薄膜を形成する。【解決手段】真空状態に保持された反応容器内に基板22を配置し、基板の成膜すべき面の前面空間に材料ガスを供給し高周波電力で放電励振を行ってプラズマを生成し化学気相成長により基板にアモルファスシリコン薄膜を形成する。さらに基板の前面空間に、複数のガス吐出口を通して材料ガスを供給する管状電極21a,21c と、複数のガス吸入口を通してガスを吸入し外部へ排気する管状電極21b,21d とからなる電極部21が設けられる。

請求項（抜粋）：

真空ポンプで所定の真空状態に保持された反応容器内に基板を配置し、前記基板の成膜すべき面の前面空間に材料ガスを供給し高周波電力で放電励振を行ってプラズマを生成し化学気相成長により前記基板に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、複数のガス吐出口を有しかつこれらのガス吐出口を通して前記前面空間に前記材料ガスを供給するガス供給体と、複数のガス吸入口を有しかつこれらのガス吸入口を通して周辺のガスを吸入し外部へ排気するガス排気体とを設け、前記複数のガス吐出口と前記複数のガス吸入口は、個々のガス吐出口とガス吸入口が接近するように配置され、前記ガス供給体と前記ガス排気体は、前記高周波電力が供給され、電極として構成される、ことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 31/04 V

Fターム (32件)：

4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030CA17 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030GA01 , 4K030KA16 , 4K030KA17 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB15 , 5F045CA13 , 5F045DP13 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EF20 , 5F045EG01 , 5F045EG05 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH12 , 5F045EH19 , 5F051AA05 , 5F051CA07 , 5F051CA16 , 5F051CA23 , 5F051CA24

引用特許：

審査官引用 (2件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-330953 出願人：株式会社エフオーアイ, 株式会社神戸製鋼所
プラズマ処理装置に用いる電極及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078028 出願人：日新電機株式会社

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