特許
J-GLOBAL ID：200903092608501298
半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015503
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216430
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 高輝度でかつ低電圧動作が可能な生産性の高い半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板11上に形成された下部クラッド層12,活性層13および上部クラッド層14からなる発光部と、上記発光部の上部クラッド層14上に成長させた電流拡散層15とを有する。上記発光部の上部クラッド層14上の結晶の組成が変化する結晶界面において、上部クラッド層14に対して格子整合率Δa/aの絶対値が0.25%以上の格子不整合の状態で、上部クラッド層14上の結晶界面から電流拡散層15を成長させるとき、少なくとも成長開始時の成長速度を1.0μm/hとする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に形成された少なくとも下部クラッド層,活性層および上部クラッド層からなる発光部と、上記発光部の上部クラッド層上に成長させた層とを有する半導体発光素子の製造方法において、上記発光部の上部クラッド層上の結晶の組成が変化する結晶界面において、前後の結晶の間が格子整合率Δa/aの絶対値が0.25%以上の格子不整合の状態で、上記格子不整合のある結晶界面から層を成長させるとき、少なくとも成長開始時の成長速度を1.0μm/h以下とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 21/205
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041CA34
, 5F041CA77
, 5F041CA99
, 5F041CB03
, 5F041CB36
, 5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045BB08
, 5F045BB16
, 5F045CA09
, 5F045DA52
審査官引用 (2件)
-
半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-066879
出願人：シャープ株式会社
-
半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-275399
出願人：三菱化学株式会社
前のページに戻る
