特許
J-GLOBAL ID：200903077901025205
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275399
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213652
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 クラッド層の構造を最適化することにより、素子特性の向上、コスト低減を達成すること。【構成】 第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1〜1μmの活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaP又はGaPからなる光取り出し層を有することを特徴とする半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1〜1μmの活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaP又はGaPからなる光取り出し層を有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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