特許
J-GLOBAL ID：200903092610662983
メモリ素子およびメモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-343948
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146821
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】 高密度・高集積化を容易に可能とするスピン注入型のメモリ素子およびメモリ装置を提供する。【解決手段】 磁気メモリ素子MM1は、偏極スピン電子の注入により磁化反転を引き起して書き込みを行う「スピン注入型」の磁気メモリ素子である。カーボンナノチューブ10を1構成単位とし、その軸方向における中央部をスピン伝導層3とし、両端部に、磁化配向が一定方向に固定された固定層1,偏極スピン電子の流入によって磁化配向が変化する自由層2がそれぞれ内包されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電子がスピン偏極した状態を保持する保持部と、
中空の筒状分子の少なくとも一部からなり、スピン偏極した電子を伝導させるスピン伝導層とを備え、
スピン偏極した電子の注入によって、前記保持部に電子のスピン偏極した状態として情報が書き込まれる
ことを特徴とするメモリ素子。
IPC (4件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L29/06
, H01L29/82
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01L29/06 601N
, H01L29/82 Z
