特許

J-GLOBAL ID：200903092623303648

半導体装置およびその製造方法

発明者： 西井 勝則 ,  池田 義人 ,  正戸 宏幸 ,  井上 薫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248381
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156081
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体に対して密着性がよく、ショットキ特性に優れたショットキ電極を有する半導体装置を製造することを目的とする。【解決手段】 n型GaN活性層4と、n型GaN活性層4上に形成されたショットキ電極6とを有し、ショットキ電極6がシリコンを含有する半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成されたショットキ電極とを有し、前記ショットキ電極がシリコンを含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/778

FI (3件)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 M ,  H01L 29/80 H

Fターム (25件)：

4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104CC03 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界効果トランジスタ及びそのゲート電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-010388   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-093173
  
• 室温硬化性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-185465   出願人：旭硝子株式会社