特許
J-GLOBAL ID：200903092671641199
半導体結晶成長装置用治具,及び半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-209199
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055716
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】ウェハの表面温度が均一になり,組成分布のばらつきの少ない面内均一性に優れた,半導体結晶成長装置用治具,及び半導体製造方法を提供する。【解決手段】結晶成長室内におけるウェハキャリアのウェハを載置するウェハポケット底面に,熱を拡散してウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝が形成されており,その深さはウェハ中心部より周辺部で深く,密度はウェハ中心部より周辺部で高いことを特徴とする。パターンの例として,中心部から外周に向かい広がったくさび状の溝が複数個形成されたもの,中心部から外周に向かい間隔が狭くなっている複数個の円形の溝が形成されたもの,中心部から外周に向かうほど径が小さくなる円形溝で埋められているもの,中心部から外周に向かうほど辺の短い正方形の溝で埋められているものがあり,どれも外周に向かうほど溝が深くなっている溝が適用される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置用治具において;
前記座ぐり部底面に,熱を拡散して前記ウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝が形成されていることを特徴とする半導体結晶成長装置用治具。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4K030AA11
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA25
, 4K030BA51
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030KA23
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB32
, 5F045BB01
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045EM06
, 5F045EM09
, 5F045EM10
, 5F045HA02
, 5F045HA12
