特許
J-GLOBAL ID：200903024255897383

薄膜成長装置およびこれを用いた薄膜成長方法

発明者：
保科 祐章

保科 祐章 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196767
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021788
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 枚葉式サセプタを備えた1台の薄膜成長装置で口径の異なるウェーハを速やかに取扱い、必要に応じ複数枚のウェーハを同時に取扱い可能とする。【解決手段】 枚葉式サセプタ1の上に直接にウェーハを載置するのではなく、着脱自在な仲介板53を1枚置いてこの上にウェーハを載置し、この仲介板53をロボットハンドラ6で取扱うことで反応炉Rに対するウェーハの搬出入を行う。仲介板53はSiCからなる円板体であり、座ぐり部53bの内部に大口径ウェーハW1を収容し、自身はサセプタ1の座ぐり部2に収容される。小口径ウェーハであれば、1枚の仲介板上に複数枚収容できる。サセプタ1そのものを交換する必要がないので、反応炉Rを大気開放せずに済み、炉内の雰囲気調整や反応条件の最適化に要する時間を節約できる。
請求項（抜粋）：
反応炉内に設置される枚葉式サセプタと、前記枚葉式サセプタの上に1枚ずつ着脱自在に設置され、薄膜を成長させる基板を少なくとも1枚載置するための仲介板とを備えることを特徴とする薄膜成長装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/458 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/68
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 H ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/68 N
Fターム (27件)：
4G051BF02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030KA46 ,  5F031BB09 ,  5F031BC06 ,  5F031CC12 ,  5F031EE12 ,  5F031KK07 ,  5F031LL02 ,  5F031MM11 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AC05 ,  5F045BB08 ,  5F045BB13 ,  5F045BB14 ,  5F045EB08 ,  5F045EM06 ,  5F045EM09 ,  5F045EN05
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開平3-212932
  • 特開平3-212932
  • CVD処理用ウエハ収容トレー
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-293553   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
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