特許
J-GLOBAL ID：200903092681492256

透過型電子顕微鏡用半導体試料およびその製造方法

発明者：
沖原 将生

沖原 将生 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-295952
公開番号（公開出願番号）：特開2000-121521
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 前処理である選択エッチングにより薄膜部16に曲げ歪みが導入されることのない半導体試料13の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体10の観察を受ける部分に透過型電子顕微鏡からの電子の透過を許す薄膜部16を形成し、該薄膜部に所定のエッチング処理を施して透過型電子顕微鏡用半導体試料13を作成する方法。前記エッチング処理を施すに先立って、前記薄膜部16に、前記エッチング処理により前記薄膜部16に導入される応力の低減を図るための溝20を形成する。
請求項（抜粋）：
透過型電子顕微鏡からの電子の透過を許す薄膜部が一体的に設けられた本体を備える半導体試料であって、前記薄膜部の形成後に該薄膜部に施されるエッチング処理において前記薄膜部に導入される応力による歪みを緩和するための溝が、前記薄膜部に関連して形成されていることを特徴とする透過型電子顕微鏡用半導体試料。
IPC (2件)：
G01N 1/32 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
G01N 1/32 B ,  H01L 21/66 N
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106BA03 ,  4M106BA12 ,  4M106DB01 ,  4M106DB20 ,  4M106DB30
引用特許：
審査官引用 (2件)

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