特許
J-GLOBAL ID：200903039963333918
透過型電子顕微鏡用の平面サンプルの作製方法及びその透過型電子顕微鏡による欠陥測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-001768
公開番号（公開出願番号）：特開平9-189649
出願日： 1996年01月09日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 不良の原因となっている結晶欠陥の輪郭や発生個所を観察できるとともに、結晶欠陥の性質の同定を行うための特殊観察法が可能となる透過型電子顕微鏡用の平面サンプルの作製方法及びその透過型電子顕微鏡による欠陥測定方法を提供する。【解決手段】 高集積素子中に存在する不良個所の周辺にマーキングすることにより不良個所を特定化し、透過型電子顕微鏡観察に際して不必要な領域を除去する鏡面研磨によるサンプルを作製し、そのサンプル裏面から研磨により、例えば、100μm程度に薄膜化する。次に、さらに裏面からサンプル13をディンプル加工する。この時、ディンプルの最深部がサンプル13の中心、つまり、サンプル表面のマーキング位置となるようにする。ディンプル加工により、最深部の膜厚は10μm前後とする。最後に、サンプル裏面からイオンミリング加工を行うことにより、不良部周辺を電子線が透過する程度に薄膜化する。
請求項（抜粋）：
(a)高集積素子中に存在する不良個所の周辺にマーキングすることにより不良個所を特定化する工程と、(b)透過型電子顕微鏡観察に際して不必要な領域を除去する鏡面研磨によるサンプルの作製工程と、(c)前記サンプルの薄膜化工程とを施すことを特徴とする透過型電子顕微鏡用の平面サンプルの作製方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01N 1/28 F
, G01N 1/32 A
, G01N 1/28 H
