電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲柳▼川信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259681
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085670
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 GaN系電界効果型トランジスタにおいて、表面準位の影響が無く、ON抵抗が低いトランジスタ構造を提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタのn型AlGaN電荷供給層4の上にドレイン電極金属5及びソース電極金属6、パッシベーション膜7を形成し、ゲート部のみドレイン電極金属5及びソース電極金属6、パッシベーション膜7を除去し、露出した金属端面に絶縁膜を形成し、開口部にゲート電極8を堆積する。

請求項（抜粋）：

GaN層及びInGaN層の一方をチャネルとする電界効果型トランジスタであって、チャネル層の上にn型及びノンドープAlGaN層の一方を、その上に金属層を、さらにその上に絶縁体層を形成し、該絶縁膜層と前記金属層とを1回のパターニングで開口し、その開口部側壁に絶縁膜を形成してから該開口部に金属を埋め込んでゲートを形成するようにしたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

Fターム (16件)：

5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (6件)

化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-032740 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-293572
特開昭61-051980

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