特許
J-GLOBAL ID:200903092750361096

回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-168145
公開番号(公開出願番号):特開2001-352165
出願日: 2000年06月05日
公開日(公表日): 2001年12月21日
要約:
【要約】【課題】 熱負荷が加わる状態でも樹脂基板と金属被覆の密着力を十分に確保することができる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 樹脂組成物を成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造する。この際に、樹脂基板を非酸化性気相雰囲気中で熱処理した後に上記のプラズマ処理を行なう。雰囲気中の酸素で熱処理の際に樹脂基板の表面が酸化されることを防ぐことができ、樹脂基板の表面の酸化によって樹脂基板と金属被覆の間の密着性が阻害されるようなことなく、熱処理によって樹脂基板の寸法安定性を高めることができる。
請求項(抜粋):
樹脂組成物を成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造するにあたって、樹脂基板を非酸化性気相雰囲気中で熱処理した後に上記のプラズマ処理を行なうことを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/38 ,  H05K 3/14
FI (2件):
H05K 3/38 A ,  H05K 3/14 A
Fターム (12件):
5E343AA01 ,  5E343AA16 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343BB24 ,  5E343DD23 ,  5E343DD24 ,  5E343DD25 ,  5E343ER31 ,  5E343ER37 ,  5E343ER39 ,  5E343GG02
引用特許:
審査官引用 (7件)
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