特許
J-GLOBAL ID：200903092785199771
半導体装置および製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206576
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035960
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 端子数が多い場合であっても、実装信頼性および電源/グランドプレーン特性を高くしつつ、かつ安価に実現可能な多ピンの半導体記憶装置および製造方法を提供する。【解決手段】 実装基板16のサイズが大きくても半田ボール9の実装信頼性を高めることができるため、700から1000ピンクラスを越える多ピン端子数のBGAタイプの半導体装置を実現することができる。この結果,PGAタイプの半導体装置を用いた場合に必要であった実装用のソケット等を不用とすることができるため、コストの低減をすることが可能となる。さらに、多ピン端子数となった場合でも、信号用端子を自由度を高くフルマトリックス状に配置することができるため、半導体チップ2のサイズを小さくすることができ、半導体チップ2とBGA基板1との間のバンプ3の信頼性も高く、安価に多ピンの半導体を実現することができる。
請求項（抜粋）：
有機材料を用いて形成された有機基板と、複数の前記有機基板が積層されたパッケージ部と、前記パッケージ部に積層された前記有機基板の各々に設けられた接続孔を前記有機基板が積層された方向へ直接つなぎ合わせたスタックドヴィアと、前記パッケージ部の上面を形成する有機基板上に接合された、所定のピッチで形成されたバンプを有する半導体チップとを備え、前記スタックドヴィアが形成されるピッチを、前記半導体チップが有するバンプが形成された所定のピッチと同じピッチとすることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/14
, H01L 25/00
H01L 23/12 B
, H01L 25/00 B
, H01L 23/12 L
, H01L 23/12 Q
, H01L 23/14 R
