特許
J-GLOBAL ID：200903092788351884
光電変換素子及び光電変換装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237195
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087680
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 歩留りの高い光電変換装置とこれを構成する光電変換素子を得る。【解決手段】 光電変換素子は、N型半導体基板100と、N型半導体領域101と、P型電荷蓄積領域12を有するフォトダイオード1と、JFET2(P型ゲート領域15、ゲート領域15中のN型ソース領域14及びN型チャネル領域17、基板100と電気的に接続されたN型ドレイン領域16)と、フォトダイオード1からゲート領域15に電荷を転送する転送ゲート3と、P型電荷排出領域18を有し且つフォトダイオード1で過剰生成された電荷を排出すると共にゲート領域15の電位を制御するリセットドレイン4と、電荷蓄積領域12と電荷排出領域18との境界領域に形成され前記過剰生成された電荷を電荷排出領域18に導くオーバーフロー制御領域6aと、ゲート領域15とリセットドレイン4の電荷排出領域18との電気的接続を制御するリセットゲート5とを備える。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体領域中に形成された第2導電型の電荷蓄積領域を有し、入射光に応じた電荷を生成して蓄積するフォトダイオードと、前記第1導電型半導体領域中に形成された第2導電型のゲート領域と、前記ゲート領域中に形成された第1導電型のソース領域及びチャネル領域と、前記第1導電型半導体基板上の、前記第1導電型半導体領域中に形成され、前記第1導電型半導体基板と電気的に接続された第1導電型のドレイン領域とを有し、ゲート領域で受け取った前記フォトダイオードからの電荷に応じた信号出力を生じる接合型電界効果トランジスタと、前記第1導電型半導体領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有し、前記フォトダイオードで生成、蓄積された電荷を前記接合型電界効果トランジスタのゲート領域に転送する転送ゲートと、前記第1導電型半導体領域中に形成された第2導電型の電荷排出領域を有し、前記フォトダイオードにおいて過剰に生成された電荷を排出し、また、前記接合型電界効果トランジスタのゲート領域の電位を制御するリセットドレインと、前記第1導電型半導体領域中の、前記フォトダイオードの電荷蓄積領域と、前記リセットドレインの電荷排出領域との境界領域に形成され、前記フォトダイオードにおいて過剰に生成された電荷を前記リセットドレインの電荷排出領域に導くオーバーフロー制御領域と、前記第1導電型半導体領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有し、前記接合型電界効果トランジスタのゲート領域と前記リセットドレインの電荷排出領域との電気的な接続状態を制御するリセットゲートと、を備えたことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
