特許
J-GLOBAL ID：200903092811100924
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131598
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335870
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 キャリア濃度が低下せず、シート抵抗値が増大せず、かつ表面のコンタクト性が悪化しない、浅い接合を有する半導体装置を得ること。【構成】 半導体基板11の上にゲート電極53が設けられている。半導体基板11の表面中であって、ゲート電極53の両側に上面と下面を有する1対のソース/ドレイン層54が設けられている。ソース/ドレイン層54中であって、上面54aと下面54bとの間には、水平方向に延びる二次欠陥層18が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられたゲート電極と、前記半導体基板の表面中であって、前記ゲート電極の両側に設けられ、上面と下面を有する1対のソース/ドレイン層と、を備え、前記ソース/ドレイン層中であって、前記上面と前記下面との間には、水平方向に延びる二次欠陥層が設けられている、半導体装置。
引用特許：
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