特許
J-GLOBAL ID：200903092822423202

フラッシュメモリセルの消去方法及びその装置

発明者：
朴 柱 ▲うぉん▼

朴 柱 ▲うぉん▼ について

, 
朴 炯 来

朴 炯 来 について


出願人/特許権者：
現代電子産業株式会社

現代電子産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-370260
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199271
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】フラッシュメモリの消去動作時間とピーク電流(Peak current)を減少する。【解決手段】フラッシュメモリの第1セクタに消去のための第1ドレインバイアス電圧を印加したあと第1セクタが完全に消去される前に第2セクタに消去のための第2ドレインバイアス電圧を印加する。
請求項（抜粋）：
読み出し、書き込み及び消去が可能なフラッシュメモリセルの消去方法において、フラッシュメモリセルアレイを多数のセクタに分けてセクタ別に順次に消去するが、第1セクタに消去のためのドレインバイアス電圧を印加する段階と、上記第1セクタが完全に消去される前に第2セクタに消去のためのドレインバイアス電圧を印加する段階と、上記第2セクタが完全に消去される前に第3セクタに消去のためのドレインバイアス電圧を印加する段階と、上記第3セクタが完全に消去される前に次のセクタに消去のためのドレインバイアス電圧を印加する段階とでなることを特徴とするフラッシュメモリセルの消去方法。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (2件)：
G11C 17/00 612 F ,  G11C 17/00 633 E
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM