特許
J-GLOBAL ID：200903031808507950
窒化物系III-V族化合物半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008201
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204778
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 2次元電子ガス用いた窒化物系化合物半導体装置では、十分移動度の高いものは得られていなかった。【解決手段】 本発明の窒化物系III-V族化合物半導体装置では、基板上方にチャネル層を有し、前記チャネル層で2次元電子ガスを用いた半導体デバイスにおいて、チャネル層がInNを含む層にすることによって、移動度の大きいものが得られた。
請求項（抜粋）：
基板上方にチャネル層を有し、前記チャネル層で2次元電子ガスを用いた半導体デバイスにおいて、チャネル層がInNを含む層であることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
