特許
J-GLOBAL ID：200903092852418076

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
松村 拓明

松村 拓明 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125215
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374035
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 ストライプ状の凸部を共振器とする構造の半導体レーザ素子において、様々な素子特性、ビーム特性の容易に形成し、多様な応用を実現するレーザ素子を得ること。【解決手段】 本発明では、ストライプ状の導波路領域として、第1の導波路領域C1、第2の導波路領域C2とを有し、C1で完全屈折率型の導波路が形成され、C2で実効屈折率型の導波路を有することで、ストライプ状の凸部を共振器として有するレーザ素子において、様々な素子特性を得ることができ、また素子信頼性に優れ、ビーム特性に優れるレーザ素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体層と、活性層と、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型の半導体層とが順に積層された積層構造体を備え、前記活性層及びその近傍において幅方向に光の広がりを制限してその幅方向と直交する方向に光を導波させる導波路領域が形成されてなる半導体レーザ素子において、前記導波路領域は、第1の導波路領域と第2の導波路領域とを有してなり、前記第1の導波路領域は、前記活性層の幅を制限することによりその活性層とその両側の領域との間の屈折率差によってその制限された活性層内に光を閉じ込めるようにした領域であり、前記第2の導波路領域は、前記活性層において実効的に屈折率差を設けることにより光を閉じ込めるようにした領域であることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/10 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22
FI (3件)：
H01S 5/10 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22
Fターム (40件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045HA13 ,  5F045HA16 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA84 ,  5F073BA01 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073CA17 ,  5F073DA25 ,  5F073DA33 ,  5F073EA16 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM