特許

J-GLOBAL ID：200903092878669085

半導体実装用半田合金とその製造方法、及び半田ボール、電子部材

発明者： 寺嶋 晋一 ,  田中 将元
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (2件)： 内藤 俊太 ,  田中 久喬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-070878
公開番号（公開出願番号）：特開2005-254298
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 落下衝撃による半田接合部の破壊を防ぐことができる半導体実装用半田合金とその製造方法及び、半田ボール、電子部材を提供する。【解決手段】 Sn、Ag及びCuを主体とする半田合金であって、Ag:1〜5質量%及びCu:0.1〜2質量%を含み、さらにMg、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから成る元素群から選ばれた1種又は2種以上の元素を総計で0.0005〜0.5質量%含有し、残部がSn及び不可避不純物から成ることを特徴とする半導体実装用半田合金とその製造方法及びこれを用いた半田ボール、電子部材である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Sn、Ag及びCuを主体とする半田合金であって、Ag:1〜5質量%及びCu:0.1〜2質量%を含み、さらにMg、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから成る元素群から選ばれた1種又は2種以上の元素を総計で0.0005〜0.5質量%含有し、残部がSn及び不可避不純物から成ることを特徴とする半導体実装用半田合金。

IPC (4件)：

B23K35/26 ,  B23K35/40 ,  C22C13/00 ,  H01L21/60

FI (5件)：

B23K35/26 310A ,  B23K35/40 340F ,  C22C13/00 ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 603B

Fターム (1件)：

5F044QQ03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 鉛フリーはんだボールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-181173   出願人：千住金属工業株式会社
• 鉛フリーはんだ合金
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-301801   出願人：千住金属工業株式会社

審査官引用 (1件)

• はんだ材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-164996   出願人：ソニー株式会社