ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-128792
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313282
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】貴金属電極等の難エッチング材料のエッチング後に、エッチングマスク層の側壁に再付着する不揮発性の反応生成物を確実に除去できるようにする。【解決手段】 Ir層12上に、有機物質膜13、ハードマスクとなるTiN層14を順に積層し(c)、フォトレジスト膜15をマスクとしてこの積層膜をドライエッチングする(e)。フォトレジスト膜15を除去する(f)。酸素を含んだガスを用いて、Ir層12のドライエッチングを行う(h)。このエッチング時に有機物質膜13はサイドエッチされるため、反応生成物からなる側壁再付着層は有機物質膜層の側壁には生じない。この後アッシング処理を行えば、有機物質膜層のみがエッチングされ、マスクの役割を果たしたTiN層は容易に除去され、パターニングされた被エッチング材だけが残る(j)。

請求項（抜粋）：

(1)下地層上に被エッチング材料層、パッド材料層、ハードマスク層を順次堆積する工程と、(2)所定のパターンのレジスト膜を形成し、これをマスクとして前記ハードマスク層と前記パッド材料層をパターニングする工程と、(3)前記ハードマスク層をマスクとして、前記パッド材料層の側面がエッチングされる条件にて、前記被エッチング材料層を異方性のあるドライ法でエッチングする工程と、(4)前記パッド材料層を除去する工程と、を有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/302 J , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

Fターム (47件)：

5F001AA17 , 5F001AD33 , 5F001AG10 , 5F004AA09 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004BB26 , 5F004BD01 , 5F004CA04 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB12 , 5F004DB23 , 5F004EA05 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EA13 , 5F004EA29 , 5F004EB02 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F083AD21 , 5F083FR01 , 5F083GA27 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F101BA62 , 5F101BD20 , 5F101BH14

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-002835 出願人：松下電子工業株式会社
水素ガスを用いた集積回路のプラズマ洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-307900 出願人：エルエスアイロジックコーポレーション
特開昭63-040321

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