半導体層、これを用いる太陽電池、及びそれらの製造方法並びに用途

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247635
公開番号（公開出願番号）：特開2001-357899
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】光エネルギー変換効率の高い太陽電池を得るための半導体層、これを用いる太陽電池、及びそれらの製造方法並びに用途を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、太陽電池に用いる半導体層であって、粒度分布に於いて、複数のピークを有する半導体粒子群から構成された半導体層、これを用いる太陽電池、及びそれらの製造方法並びに用途を確立することにより前記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

太陽電池に用いる半導体層であって、粒度分布に於いて、複数のピークを有する半導体粒子群から構成された半導体層。

IPC (3件)：

H01M 14/00 , H01L 29/04 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01M 14/00 P , H01L 29/04 , H01L 31/04 Z

Fターム (10件)：

5F051AA14 , 5H032AA06 , 5H032AA10 , 5H032AS16 , 5H032CC14 , 5H032EE12 , 5H032EE16 , 5H032EE20 , 5H032HH01 , 5H032HH04

引用特許：

審査官引用 (4件)

光電変換素子用半導体膜および光電気化学電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-273742 出願人：富士写真フイルム株式会社
光電変換素子、該素子の製造方法および多孔性酸化チタン半導体電極
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-001950 出願人：株式会社リコー
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-274000 出願人：株式会社東芝

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