感知電流の消耗を低減しうる半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040356
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【目的】あるメモリセルアレイのビット線対を多数のセグメントに分割し、ビット線対のキャパシタンスを低減させることにより感知電流を低減させる。【構成】複数のセル領域に分割されるメモリセルアレイと;前記メモリセルアレイの上部に配列した複数の第1感知増幅器、及び前記メモリセルアレイの下部に配列した複数の第2感知増幅器から構成された感知増幅部と;それぞれが前記複数の感知増幅器に連結し、複数のビット線セグメント対に分割される複数のビット線対と;分割されたビット線セグメント対のそれぞれを、制御信号対により該感知増幅器と連結或いは遮断するための連結手段と;複数のセル領域のうちの該セル領域を選択するための複数のセル領域選択信号を入力し、前記連結手段にて複数の制御信号対を発生するための制御回路を備える。

請求項（抜粋）：

複数のセル領域に分割されるメモリセルアレイと;前記メモリセルアレイの上部に配列した複数の第1感知増幅器、及び前記メモリセルアレイの下部に配列した複数の第2感知増幅器から構成された感知増幅部と;それぞれが前記複数の感知増幅器に連結され、複数のビット線セグメント対に分割される複数のビット線対と;分割されたビット線セグメント対のそれぞれを、制御信号対により該感知増幅器と連結或いは遮断するための連結手段とを備えることを特徴とする感知電流の消耗を低減しうる半導体メモリ装置。

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-168777 出願人：松下電子工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-012257 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-168777 出願人：松下電子工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-012257 出願人：日本電気株式会社

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