特許
J-GLOBAL ID：200903093033653771
半導体プロセスにおける平坦化方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148148
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316179
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】化学的機械研磨による高精度の半導体プロセスにおける平坦化方法及びその装置を提供する。【構成】半導体基板表面上に配された金属配線あるいは絶縁膜を化学機械研磨により平坦化する方法において、前記金属配線あるいは絶縁膜の表面を研磨すると同時に、前記半導体基板裏面を研磨しながら基板全体の厚さを測定制御する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面上に配された金属配線あるいは絶縁膜を化学機械研磨により平坦化する方法において、前記金属配線あるいは絶縁膜の表面を研磨すると同時に、前記半導体基板裏面を研磨しながら基板全体の厚さを測定制御することを特徴とする半導体プロセスにおける平坦化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/04
H01L 21/304 321 S
, H01L 21/304 321 E
, B24B 37/04 D
