特許

J-GLOBAL ID：200903093124186890

CMP装置及び半導体装置

発明者： 大下 博史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 村上 啓吾 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005834
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209077
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 研磨パッドの溝形状を工夫することにより、スラリーの回り込みを向上させる。【解決手段】 回転可能な研磨テーブル2上に設置された研磨パッド3の表面に中心から放射状に延びた溝3aを形成し、研磨テーブル2の中央からスラリー4を供給することにより、スラリー4は溝3aに溜まり、スラリー4を効率よく供給しながら研磨パッド3に半導体ウエハを接触させることにより、半導体ウエハを研磨し、研磨レートを向上させる。

請求項（抜粋）：

上面に研磨パッドが設置される回転可能な研磨テーブルと、半導体ウエハを取り付け、上記研磨パッドに上記半導体ウエハを接触させることにより上記半導体ウエハを研磨するようにした回転可能なポリッシングヘッドと、上記半導体ウエハの研磨剤となるスラリーとからなるCMP装置において、上記研磨パッドに中心から放射状に延びた溝を形成したことを特徴とするCMP装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02

FI (4件)：

H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/00 K ,  B24B 57/02

Fターム (7件)：

3C047FF08 ,  3C047GG20 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法と研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-109440   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 研磨部材、研磨方法、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-025386   出願人：株式会社ニコン