特許
J-GLOBAL ID：200903093175416955

パルスプラズマ処理方法および装置

発明者：
ジョンソン、ウェイン・エル

ジョンソン、ウェイン・エル について

, 
ストラング、エリック

ストラング、エリック について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-516957
公開番号（公開出願番号）：特表2003-507880
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2003年02月25日
要約：
【要約】【課題】リアクトルチャンバの基板にプラズマアシスト処理を施すための方法である。【解決手段】リアクトルチャンバ(2)の基板にプラズマアシスト処理を施すための方法であって:少なくとも1つの処理ガスをリアクトルチャンバ(2)内に導入し;チャンバ(2)内でRF電磁場を確立し電磁場を処理ガスと相互作用することによってリアクトル内でプラズマを生成し;電磁場は、エネルギーレベル値が基板(8)の各異なった処理プロセスの達成と関連されるように、いずれもプラズマを維持するのに十分な少なくとも2つの値間で周期的に変化するエネルギーレベルを有するように制御される。
請求項（抜粋）：
リアクトルチャンバの基板にプラズマアシスト処理を施すための方法であって: 少なくとも1つの処理ガスをリアクトルチャンバ内に導入し; チャンバ内でRF電磁場を確立し、電磁場を処理ガスと相互作用することによってリアクトル内でプラズマを生成し; 各エネルギーレベル値が基板の各異なった処理プロセスの実行と関連されるように、電磁場が、いずれもプラズマを維持するのに十分な少なくとも2つの値間で周期的に変化するエネルギーレベルを有するようにし; 各エネルギーレベル値は、基板への各異なった処理プロセスの実行と関連付けられている方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/517 ,  F16K 31/02
FI (6件)：
B01J 19/08 H ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/517 ,  F16K 31/02 A ,  H01L 21/302 B
Fターム (32件)：
3H062AA02 ,  3H062AA12 ,  3H062BB10 ,  3H062CC05 ,  3H062FF01 ,  3H062HH06 ,  4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA24 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EC01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030HA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030JA16 ,  4K030KA41 ,  5F004BA20 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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