特許
J-GLOBAL ID：200903049572280513

半導体基盤の表面処理方法

発明者：
ジョティ キロン バードゥワジ

ジョティ キロン バードゥワジ について

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ヒューマ アシュラフ

ヒューマ アシュラフ について

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ババック カムゼポー

ババック カムゼポー について

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ジャネット ホプキンズ

ジャネット ホプキンズ について

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アラン マイケル ハインズ

アラン マイケル ハインズ について

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マーティン エドワード ライアン

マーティン エドワード ライアン について


出願人/特許権者：
サーフィス テクノロジー システムズ リミテッド

サーフィス テクノロジー システムズ リミテッド について


代理人 (1件)： 新部 興治 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206673
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144654
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 作動状態のプロセスに依存し,形成物に対して粗い側壁及び/或いはベースが生成されるのと同様に乏しいCD(臨界寸法)制御で,内曲した側壁プロファイルを有する独特なノッチのついた側壁が生成される。【解決手段】 本発明は,半導体基盤のエッチングした特徴部上に側壁不働態層を析出するところにおいて,真空室内に当該基盤を設置し,プラズマを衝突させ,そして炭素層或いは炭化水素層を析出するために炭化水素析出ガスを導き入れることにより当該側壁不働態層の析出を行う方法に関するものである。
請求項（抜粋）：
半導体基盤のエッチングした特徴部上に側壁不働態層を析出するところにおいて,真空室内に当該基盤を設置し,プラズマを衝突させ,そして炭素層或いは炭化水素層を析出するために炭化水素析出ガスを導き入れることにより当該側壁不働態層の析出を行う方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (18件)
  • 特開平4-106923
  • 特開平4-106923
  • ITOのドライエッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246099   出願人：日新電機株式会社
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