特許
J-GLOBAL ID：200903093188185430
レチクル及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196766
公開番号（公開出願番号）：特開2001-022051
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 重ね合わせ精度測定における精度の向上を図る。【解決手段】 本発明のレチクルは、露光装置の投影範囲内であり、半導体回路パターンが形成されたチップ領域と、チップ領域以外の領域であるスクライブライン領域に重ね合わせ精度を測定する為の測定用マークが複数設けられる。測定用マークは、重ね合わせ精度の測定方向(121)に沿って所定のピッチ(111)をおいて配置された複数の主パターン(114)と、複数の主パターンに対して測定方向の前後に各々設けられ、前記第1パターンとのピッチ(112)が上記所定のピッチ(111)と等しくされた補助パターン(113,115)とから構成される。上記構成により、複数の主パターンのみに対応するレジストパターンが形成され、形成されたレジストパターンに対して重ね合わせ精度測定が実施される。
請求項（抜粋）：
露光装置の投影範囲内であって、半導体回路パターンが形成される第1領域以外の第2領域に重ね合わせ精度を測定する為の測定用マークが複数設けられたレチクルにおいて、前記測定用マークは、前記重ね合わせ精度の測定方向に沿って所定の相互間隔をおいて配置された複数の第1パターンと、前記測定方向に関して前記複数の第1パターンの前後に各々設けられ、前記第1パターンとの間隔が前記所定の相互間隔と等しくされた第2パターンとから成ることを特徴とするレチクル。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 N
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 522 B
2H095BA02
, 2H095BE03
, 2H095BE08
, 2H095BE09
, 5F046AA25
, 5F046BA04
, 5F046EA03
, 5F046EA09
, 5F046EB02
, 5F046EB07
