特許
J-GLOBAL ID：200903093191002494
電界放射薄膜冷陰極及びこれを用いた表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-276113
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125215
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 放出される電子ビームの電流量を制御する電圧を低減し、電子ビームの発散を防ぎ、ゲート電極に流入する電流を低減した電界放射薄膜冷陰極を実現し、この電界放射薄膜冷陰極を用いた表示装置の解像度,コントラスト,色純度を改善する。【解決手段】 球状の曲面あるいは球状の曲面を模した複数の段差構造の基板1上に、仕事関数の小さい薄膜材料を形成した電子放出層5と、電子放出層5を囲み、電子放出層5よりも高い位置にあり、陰極電位のビーム形成電極あるいは陰極電位を基準として正または負電位のビーム形成電極2と、ビーム形成電極2上に絶縁層3を介して形成したゲート電極4で電界放射薄膜冷陰極11を構成する。
請求項（抜粋）：
電子放出層と、第1の電極と、第2の電極とを有する電界放射薄膜冷陰極であって、電子放出層は、金属あるいは半導体からなる基板上に離散的に形成されたものであり、第1の電極は、前記電子放出層を取り囲み、前記電子放出層よりも前記基板から離れた位置に形成されたものであり、第2の電極は、前記第1の電極上に絶縁層を介して形成されたものであり、前記電子放出層の下の前記基板は、球面あるいは段差によって球面を模擬した構造となっているものであることを特徴とする電界放射薄膜冷陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 A
, H01J 31/12 C
