特許

J-GLOBAL ID：200903093212776070

半導体素子の素子分離膜形成方法

発明者： 張 世億 ,  宋 泰植 ,  金 榮福 ,  趙 炳珍 ,  金 鍾哲
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104812
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041291
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】素子分離絶縁膜の段差が緩和され、バードビークが低減する半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板上部にパッド酸化膜と第1窒化膜と感光膜とを順次形成する工程と、前記感光膜をマスクとして前記パッド酸化膜と前記第1窒化膜を過重にエッチングし、前記半導体基板にパッド酸化膜パターンと第1窒化膜パターンと第1溝とを形成する工程と、前記第1窒化膜パターンと前記パッド酸化膜パターンと前記第1溝の側壁に第2窒化膜スペーサを形成する工程と、前記第1窒化膜パターンと前記第2窒化膜スペーサをマスクにし、前記半導体基板の第1溝内に第2溝を形成する工程と、前記第2溝の表面を熱酸化させて熱酸化膜を形成する工程とを含んでなることを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板を提供する工程と、前記半導体基板上部にパッド酸化膜と第1窒化膜と感光膜とを順次形成する工程と、前記感光膜をマスクとして前記パッド酸化膜と前記第1窒化膜を過重にエッチングし、前記半導体基板にパッド酸化膜パターンと第1窒化膜パターンと第1溝とを形成する工程と、前記構造の表面をエッチング溶液で洗浄する洗浄工程と、前記第1窒化膜パターンと前記パッド酸化膜パターンと前記第1溝の側壁に第2窒化膜スペーサを形成する工程と、前記第1窒化膜パターンと前記第2窒化膜スペーサをマスクにし、前記半導体基板の第1溝内に第2溝を形成する工程と、前記第2溝の表面を熱酸化させて熱酸化膜を形成する工程と、前記第1窒化膜パターンと前記パッド酸化膜パターン及び第2窒化膜スペーサを除き、素子分離膜を形成する工程とを含んでなることを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-299144
  
• 半導体装置の素子間分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-072546   出願人：ソニー株式会社
• 半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-169544   出願人：シヤープ株式会社
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-236800   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体装置の素子分離領域の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-164262   出願人：ソニー株式会社