特許

J-GLOBAL ID：200903093216296986

薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイス

発明者： 浅野 明彦 ,  菅沼 真吉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-145065
公開番号（公開出願番号）：特開2006-321674
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスにおいて、基板薄型化が進行しても、基板分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制する。【解決手段】基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスを、前記基板となる板材101で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝102を形成する工程と、前記板材101の前記スクライブ溝102の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と、を経て製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、 前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成する工程と、 前記板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。

IPC (8件)：

C03C 15/00 ,  G09F 9/00 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/133 ,  G09F 9/30 ,  C03B 33/00

FI (8件)：

C03C15/00 Z ,  G09F9/00 338 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500 ,  G09F9/30 310 ,  C03B33/00

Fターム (37件)：

2H088FA05 ,  2H088FA07 ,  2H088FA26 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA06 ,  2H088HA08 ,  2H088MA20 ,  2H090JA09 ,  2H090JB02 ,  2H090JC01 ,  2H090JD13 ,  2H090LA04 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  4G015FA03 ,  4G015FB01 ,  4G059AA08 ,  4G059AB03 ,  4G059AC03 ,  4G059BB04 ,  4G059BB14 ,  5C094AA36 ,  5C094AA43 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094EB02 ,  5C094FA02 ,  5C094GB10 ,  5G435AA06 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435HH18 ,  5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第3577492号公報
  
• 電気光学パネル、電子機器及び電気光学パネルの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-060197   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 脆性材平板加工物の切断方法及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-539805   出願人：ショットシュペツィアールグラスゲーエムベーハー

審査官引用 (4件)

• ガラスの切断分離方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びフラットパネルディスプレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-329865   出願人：西山ステンレスケミカル株式会社
• 特開昭63-248730
  
• 特開昭64-052629
  
• 特開昭64-076924