特許
J-GLOBAL ID:200903093240379965
半導体加速度センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安藤 淳二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-055037
公開番号(公開出願番号):特開2001-242191
出願日: 2000年02月29日
公開日(公表日): 2001年09月07日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 ガラスストッパに凹部を形成することなく、重り部の可動範囲を確保するとともに、凹部形成のためのざぐり加工を無くして歩留まりの向上と低コスト化の図れる半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 支持部11に撓み部12を介して揺動自在に支持された重り部10と、撓み部12に重り部10の揺動により撓み部12に生じる歪みを検出するピエゾ抵抗3を有して、ピエゾ抵抗3の抵抗値変化をもとに加速度を検知する半導体加速度センサチップと、半導体加速度センサチップと接合されて重り部10の過度の変位を抑制するストッパ6、7とを有する半導体加速度センサにおいて、重り部10に段差部10aを形成して、重り部10の先端部近傍の厚さを減少させる。
請求項(抜粋):
支持部に撓み部を介して揺動自在に支持された重り部と、前記撓み部に前記重り部の揺動により前記撓み部に生じる歪みを検出するピエゾ抵抗を有して、該ピエゾ抵抗の抵抗値変化をもとに加速度を検知する半導体加速度センサチップと、該半導体加速度センサチップと接合されて前記重り部の過度の変位を抑制するストッパとを有する半導体加速度センサにおいて、前記重り部に段差部を形成して、重り部の揺動する先端部近傍の厚さを減少したことを特徴する半導体加速度センサ。
IPC (2件):
FI (2件):
G01P 15/12
, H01L 29/84 A
Fターム (16件):
4M112AA02
, 4M112BA01
, 4M112CA23
, 4M112CA36
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA06
, 4M112DA10
, 4M112DA11
, 4M112DA14
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112GA01
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開平3-128463
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半導体加速度センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-082016
出願人:オムロン株式会社
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特開平3-146872
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半導体式力学量センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-309992
出願人:株式会社日立製作所, 日立オートモテイブエンジニアリング株式会社
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特開平3-049267
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特開平3-146872
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特開平3-049267
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特開平3-146872
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特開平3-128463
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特開平3-146872
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