特許

J-GLOBAL ID：200903093248875678

半導体装置及びその製造方法

発明者： 平野 泉 ,  小山 正人 ,  西山 彰
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-048515
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259906
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】絶縁膜のリーク電流を低減することが可能な金属シリケート膜などを用いた半導体装置とその簡便な製造方法の提供。【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板10上に形成された、シリコン、酸素、窒素、及び金属を含有するゲート絶縁膜12’であって、シリコン基板10に接する第1の層領域と、ゲート絶縁膜12’の第1の層領域と反対側の第2の層領域と、第1および第2の層領域の間にある第3の層領域を備え、前記第3の層領域における金属の最大濃度が第1及び第2の層領域における金属の濃度の最小値よりも高く、第3の層領域における窒素の最大濃度が第1及び第2の層領域における窒素の濃度の最小値よりも高いゲート絶縁膜と、第2の層領域に接するゲート電極と、ゲート絶縁膜の両脇に形成された一対のソース/ドレイン領域を備えることを特徴とする半導体装置を提供する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、 前記シリコン基板上に形成された、シリコン、酸素、窒素、及び金属を含有するゲート絶縁膜であって、前記シリコン基板に接する第1の層領域と、前記ゲート絶縁膜の第1の層領域と反対側の第2の層領域と、前記第1および第2の層領域の間にある第3の層領域を備え、前記第3の層領域における前記金属の最大濃度が前記第1及び第2の層領域における前記金属の濃度の最小値よりも高く、前記第3の層領域における前記窒素の最大濃度が前記第1及び第2の層領域における前記窒素の濃度の最小値よりも高い前記ゲート絶縁膜と、 前記第2の層領域に接するゲート電極と、 前記ゲート絶縁膜の両脇に形成された一対のソース/ドレイン領域を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/316

FI (2件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 P

Fターム (37件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA64 ,  4K029BD01 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF12 ,  5F058BF36 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE03 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-005142   出願人：ソニー株式会社
• 拡散障壁を有するゲート誘電体を備えた半導体デバイスおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-047192   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-154516   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-187596   出願人：日本電気株式会社