半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-187596
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031760
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜の熱安定性とドーパント突き抜けを抑制すると共に、シリコン基板との界面電気特性の劣化を防止する。【解決手段】シリコン基板上にゲート絶縁膜とゲート電極とをこの順に有する半導体装置において、ゲート絶縁膜が金属酸化物もしくは金属シリケートに窒素が導入された構造の窒素含有高誘電率絶縁膜を有し、窒素含有高誘電率絶縁膜中の窒素濃度は膜厚方向に分布を持ち、窒素濃度が膜厚方向で最大となる位置が、シリコン基板から離れた領域に存在する。金属酸化物もしくは金属シリケートからなる高誘電率絶縁膜への窒素含有プラズマ照射によって前記窒素の導入を行う工程を有する半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、ゲート絶縁膜とゲート電極とをこの順に有する半導体装置において、該ゲート絶縁膜が、金属酸化物もしくは金属シリケートに窒素が導入された構造の窒素含有高誘電率絶縁膜を有し、該窒素含有高誘電率絶縁膜中の窒素濃度は膜厚方向に分布を持ち、該窒素含有高誘電率絶縁膜中の窒素濃度が膜厚方向で最大となる位置が、シリコン基板から離れた領域に存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/316

FI (2件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 M

Fターム (29件)：

5F058BA05 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF80 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F140AA00 , 5F140AA28 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (11件)

前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122174 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-043369 出願人：ソニー株式会社
改良した誘電特性を有する電子回路構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-262547 出願人：アギアシステムズガーディアンコーポレーション

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引用文献：

審査官引用 (4件)

Novel Nitrogen Profile Engineering for Improved TaN/HfO2/Si MOSFET Performance
Electrical and Reliability Characteristics of an Ultrathin TaOxNy Gate Dielectric Prepared by ND3 An
Thermally Stable Ultra-Thin Nitrogen Incorporated ZrO2 Gate Dielectric Prepared by Low Temperature O

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