特許
J-GLOBAL ID：200903093251411100
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148491
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339693
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 FLASHメモリにおいて、書き込み時/消去時の温度と読み出し時の温度が大きく異なっていても、温度に影響されずに読み出し動作を正常に行えるようにする。【構成】 メモリチップの温度を検出する温度モニタ回路21を備え、データの書き込み時/消去時に、検出された温度に応じたベリファイ電圧をベリファイ電圧発生回路19から発生させ、そのベリファイ電圧により書き込み時/消去時のVth(スレッショルド電圧)のベリファイを行う。この温度に応じたベリファイ動作により、Vthを規定の範囲内の値にし、温度に影響されずに読み出し動作を正常に行わせることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された複数のメモリセルにデータを不揮発記憶する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルの温度を検出する温度検出手段を備え、この検出された温度に応じて設定されるベリファイ電圧を用いて前記データをメモリセルに書き込む際のスレッショルド電圧の検証を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (3件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 309 E
, G11C 17/00 530 A
