特許
J-GLOBAL ID：200903093252249668
外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272246
公開番号（公開出願番号）：特開2007-125687
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】鋳型構造を用いずに金属ナノワイヤを成長させ、外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法を提供する。【解決手段】外部環境ナノワイヤセンサおよびその製造方法を提供する。上記方法は、シリコンなどの基板102から第1の複数のナノワイヤ108を成長させ、インシュレータ層120を第1の複数のナノワイヤ108上に堆積させ、エッチングによって第1の複数のナノワイヤの先端部116を露出させ、電極の端部114が第1の複数のナノワイヤの先端部116の上にまたがるようにパターン化された金属の電極112を形成し、エッチングによって電極の端部114の下にある第1の複数のナノワイヤ108を露出させる方法である。また、上記方法では成長プロモーション層が基板の上に形成される構成としてもよい。上記構成物は、選択的に形成された成長プロモーション層から成長し、露出されたナノワイヤを含む。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基板を形成する工程と、
ナノワイヤを成長させる工程と、
インシュレータ層を上記ナノワイヤの上に堆積させる工程と、
上記ナノワイヤの先端部を露出させるエッチング工程と、
電極の端部が上記ナノワイヤの先端部の上にまたがるようにパターン化された金属の電極を形成する工程と、
上記電極の端部の下にあるナノワイヤを露出させるエッチング工程と、を含むことを特徴とする外部環境ナノワイヤセンサの製造方法。
IPC (4件)：
B82B 3/00
, B82B 1/00
, C30B 29/62
, G01N 27/30
B82B3/00
, B82B1/00
, C30B29/62 A
, C30B29/62 U
, C30B29/62 Z
, G01N27/30 F
4G077AA04
, 4G077BA01
, 4G077BA02
, 4G077BA04
, 4G077BA05
, 4G077BB04
, 4G077BB07
, 4G077BB09
, 4G077BB10
, 4G077BE05
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077BE22
, 4G077BE34
, 4G077BE44
, 4G077BE45
, 4G077DB08
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077EC09
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EE08
, 4G077FE20
, 4G077FJ06
, 4G077HA05
