特許
J-GLOBAL ID：200903045982190877
垂直方向に配列されたナノロッドおよびその配列への電気接点をつくるためのシステムおよび方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-361927
公開番号（公開出願番号）：特開2006-187857
出願日： 2005年12月15日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】ナノロッドの配列の上部への電気接点層を形成するための構造および方法を提供すること。【解決手段】システムおよび方法は、ほぼ垂直方向に整列したナノロッド132の配列に電気接点を提供する。ナノロッド132は、ナノロッド132への底部接点120として作用する導電性の層の上部に製造することができる。上部金属接点140は、ナノロッド132の配列の複数のナノロッド132に適用される。接点120,140は、ナノロッド132のI/V(電流/電圧)特性を測定することを可能にする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
配列内の各ナノロッドが基板の表面と平行でない方向に伸びているナノロッドの配列を 基板の表面に形成するステップと、
前記配列の少なくとも一部を包囲するために第1の防食層を堆積するステップと、
前記第1の防食層を堆積して前記配列の少なくとも一部を包囲するステップと、
前記第1の防食層の上部の厚さを除去し複数のナノロッドの上部を露出するステップと、
前記複数のナノロッドの上部と電気的に接触している第1の接点層を第1の防食層上に形成するステップと、
を含むナノロッド装置の製造方法。
IPC (4件)：
B82B 3/00
, G01N 27/00
, H01H 11/04
, H01H 1/00
B82B3/00
, G01N27/00 K
, H01H11/04 Z
, H01H1/00 Z
2G060AA01
, 2G060AE19
, 2G060AF20
, 2G060AG01
, 2G060JA01
, 2G060KA01
, 5G023AA12
, 5G023BA12
, 5G023CA27
, 5G023CA29
出願人引用 (3件)
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Park et al., "Schottky nanocontacts on ZnO nanorod arrays," Applied Physics Letters, Vol.82, Number 24, pp.4358-4360, June 16, 2003
-
Liu et al., "Electrical Properties of zinc oxide nanowires and intramolecular p-n junction," Applied Physics Letters, Volume 83, Number 15, pp.3168-3170, October 13,2003
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Lee et al., "Field emission from well-aligned zinc oxide nanowires grown at low temperature," Applied Physics Letters, Volume 81, Number 19,pp.3648-3650, November 4,2002
審査官引用 (11件)
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