特許
J-GLOBAL ID：200903093254517392
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319155
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145493
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 ヘテロ接合を有する薄膜太陽電池の変換効率及び歩留りを改善し、既存の装置を用いて大量生産を可能にし、製造コストの低減をはかる。【解決手段】 ガラス基板2上に、金属裏面電極3、p形の導電形を有し、光吸収層として供される多元化合物半導体薄膜4、前記半導体薄膜4と金属酸化物半導体薄膜6との間の界面に形成され、透明で高抵抗を有し、界面層として供されるイオウ含有亜鉛混晶化合物半導体薄膜5、前記半導体薄膜5上に形成され、n形の導電形を有し、窓層として供され、禁制帯幅が広く且つ透明で導電性を有する金属酸化物半導体薄膜6及び上部電極7が順次形成された構造の薄膜太陽電池1の製造方法であり、特に、前記イオウ含有亜鉛混晶化合物半導体薄膜5の作製工程において、真空中で高温乾燥処理、詳細には、1〜100 Torrの真空中で、設定温度100 〜250 °Cで10〜120 分間アニールを行うことにより、変換効率及び歩留りが向上する。
請求項（抜粋）：
金属裏面電極と、該金属裏面電極上に形成され、p形の導電形を有し、且つ光吸収層として供される第1の多元化合物半導体薄膜と、前記第1の多元化合物半導体薄膜上に形成され、第1の多元化合物半導体薄膜とは反対の導電形を有し、窓層として供され、禁制帯幅が広く且つ透明で導電性を有する第2の金属酸化物半導体薄膜と、前記第1の多元化合物半導体薄膜と第2の金属酸化物半導体薄膜との間の界面に形成され、透明で高抵抗を有し、界面層として供されるイオウ含有亜鉛混晶化合物半導体薄膜と、上部電極とからなる薄膜太陽電池の製造方法において、前記第1の多元化合物半導体薄膜の上に酸素、イオウ及び水酸基を含んだ前記イオウ含有亜鉛混晶化合物半導体薄膜を溶液から化学的に成長させた後、該イオウ含有亜鉛混晶化合物半導体薄膜を、真空中で高温乾燥することにより、透明で高抵抗を有する界面層を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
