半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-206891
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034649
出願日： 2006年07月28日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】半導体装置において半導体素子間の分離を好適に達成するとともに半導体装置の小型化を図ること。【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1上に形成されたエピタキシャル層2と、半導体基板1とエピタキシャル層2との間に形成された埋め込み層3と、エピタキシャル層2表面から埋め込み層3に達する第1のトレンチ7と、第1のトレンチ7内に埋め込まれるとともに埋め込み層3と接続されたドレイン取出電極8bと、ドレイン取出電極8bを電極とした半導体素子と、エピタキシャル層2表面からその半導体素子を囲むように設けられた第2のトレンチ5とを備え、第2のトレンチ5内の少なくとも側壁を絶縁膜6aで被覆した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたエピタキシャル層と、前記半導体基板と前記エピタキシャル層との間に形成された埋め込み層と、前記エピタキシャル層表面から前記埋め込み層に達する第1の溝と、前記第1の溝内に埋め込まれるとともに前記埋め込み層と接続された第1の導電体と、前記第1の導電体を電極とした半導体素子と、前記エピタキシャル層表面から前記半導体素子を囲むように設けられた第2の溝と、を備え、前記第2の溝内の少なくとも側壁が絶縁膜で被覆されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/76 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 29/41

FI (13件)：

H01L21/76 L , H01L27/08 102E , H01L27/08 331A , H01L21/76 S , H01L29/78 301R , H01L29/78 301V , H01L29/78 301X , H01L29/78 652G , H01L29/78 652R , H01L29/78 653A , H01L29/78 656A , H01L29/78 652L , H01L29/44 L

Fターム (84件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104FF01 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG06 , 4M104GG15 , 5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA47 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032AC01 , 5F032BB06 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F032DA22 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048AC07 , 5F048BA00 , 5F048BA12 , 5F048BB02 , 5F048BB20 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BD07 , 5F048BF02 , 5F048BF04 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF17 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048BH07 , 5F140AA18 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AA40 , 5F140AC23 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BB04 , 5F140BB06 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BC17 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BG27 , 5F140BG31 , 5F140BG37 , 5F140BG44 , 5F140BH21 , 5F140BH25 , 5F140BH26 , 5F140BH30 , 5F140BJ07 , 5F140BJ25 , 5F140BJ27 , 5F140BJ29 , 5F140BK11 , 5F140BK13 , 5F140BK16 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB00 , 5F140CB04 , 5F140CB06 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC16 , 5F140CE06 , 5F140CE07 , 5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (1件)

縦型MOS半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-106318 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (2件)

縦型MOS半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-106318 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-357529 出願人：三菱電機株式会社

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